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本发明涉及一种用于测量多发光峰半导体材料中载流子多重寿命的方法，其中：测试系统由光载流子辐射测量系统和光致发光光谱测量系统综合组成；一束光子能量大于待测半导体禁带宽度的并以方波信号调制的激光作为激励光，经透镜聚焦照射到待测半导体材料表面，激...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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