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半导体器件可以包括半导体基板以及其中的第一和第二间隔开的浅沟槽隔离(STI)区域，以及在半导体基板上并且在第一和第二STI区域之间延伸的超晶格。超晶格可以包括多个堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及...
该专利属于阿托梅拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿托梅拉公司授权不得商用。

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