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一种激光照射方法，对在半导体基板上形成杂质源膜而构成的被照射物照射脉冲激光，其中，该激光照射方法包含以下步骤：A.读入照射到被照射物上所设定的矩形的照射区域的脉冲激光的每一个脉冲的注量和照射到照射区域的照射脉冲数，其中，在对被照射物照射照射...该专利属于极光先进雷射株式会社;国立大学法人九州大学所有，仅供学习研究参考，未经过极光先进雷射株式会社;国立大学法人九州大学授权不得商用。