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株式会社矽因赛德
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用于完全消除驱动PMOS阈值电压的干扰的控制μLED像素结构方法技术
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下载用于完全消除驱动PMOS阈值电压的干扰的控制μLED像素结构方法的技术资料
文档序号:24421703
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本发明涉及一种控制μLED像素结构的方法,更具体而言,本发明涉及一种具有如下特征的控制μLED像素结构的方法,该方法在确定流向μLED的电流的大小时,完全消除驱动PMOS阈值电压的干扰,从而更容易控制μLED的灰度。...
该专利属于株式会社矽因赛德所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社矽因赛德授权不得商用。
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