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本发明的主要目的为提供一种新型垂直导电结构同面电极半导体分立器件及其制备方法，具体为一种使用扩散型SOI硅片制备的半导体器件及其制备方法。此方法采用浅结扩散硅片和起支撑作用的衬底硅片通过绝缘层如二氧化硅键合替代成本高的外延片或深结扩散片，降...
该专利属于上海安微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海安微电子有限公司授权不得商用。

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