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本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成多层图形化掩膜层；多层图形化掩膜层包括上下叠置的第一图形化掩膜层及第二图形化掩膜层，第一图形化掩膜层与第二图形化掩膜层具有不同的热膨胀系数。上述实施例...
该专利属于镓特半导体科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技(上海)有限公司授权不得商用。

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