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一种利用过渡金属或合金作为缓冲层提高六方氮化硼结晶质量的方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明是在生长六方氮化硼外延薄膜前，以磁控溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积或热蒸发薄膜制备技术预先在硅、蓝宝石或其他晶格失配较大衬底上沉积过渡金属或...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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