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本发明提供一种巨型版图拆分边界二次曝光模拟及光学近邻修正方法，提供多个掩膜版选项进行二次曝光的模型设置，每个掩膜版选项包含两个掩膜版层及背景层选项，该两个掩膜版层分别定义为版图层和除该版图层以及背景层以外的区域；在OPC脚本中进行对应指定；...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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