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本发明提供一种光波导微流体芯片的制造方法，包括，提供衬底，在所述衬底上形成厚度为2～3μm的下包层；在下包层上形成波导层，波导层是氮化硅材料；以波导层形成光波导；在波导层上形成厚度为15～30μm的上包层；形成微流道，所述微流道由上而下贯穿...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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