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本实用新型公开了一种多坩埚半连续式碳化硅晶体生长装置，包括具有第一腔体的第一主体、具有与第一腔体连通的第二腔体的第二主体、用于为第二腔体加热的加热机构、用于为第一腔体和/或第二腔体抽真空的抽真空机构、设于第一腔体中的用于承载多个坩埚的载体、...
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