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本发明提供一种CMOS图像传感的光栅波导多微流道芯片的制造方法,包括提供CMOS图像传感层;在25‑150℃沉积温度下形成氮化硅材料的波导层;形成光栅波导组,包括光栅波导及出射光栅;形成第一数量的微流道,光栅波导组与微流道对应组成第一数量的...该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种CMOS图像传感的光栅波导多微流道芯片的制造方法,包括提供CMOS图像传感层;在25‑150℃沉积温度下形成氮化硅材料的波导层;形成光栅波导组,包括光栅波导及出射光栅;形成第一数量的微流道,光栅波导组与微流道对应组成第一数量的...