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隧道磁阻效应元件、磁存储器、内置型存储器及制作隧道磁阻效应元件的方法技术
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文档序号:24366371
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本发明提供一种TMR元件,该TMR元件(1)具备磁隧道接合元件部(2)和设置于磁隧道接合元件部的侧面且含有绝缘材料的侧壁部(17),磁隧道接合元件部具有:参照层(3)、磁化自由层(7)、在层叠方向上层叠于参照层和磁化自由层之间的隧道势垒层(...
该专利属于TDK株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过TDK株式会社授权不得商用。
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