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本发明的课题是提供使用具有高蚀刻速度且在基板加工后能够通过药液除去的抗蚀剂下层膜形成用组合物的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在使用包含在强酸的存在下在非醇溶剂中将水解性硅烷进行水解并缩合而获得的水...
该专利属于日产化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日产化学株式会社授权不得商用。

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