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改进的基于亚阈值的半导体温度传感器制造技术
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下载改进的基于亚阈值的半导体温度传感器的技术资料
文档序号:24365722
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提供了亚阈值MOSFET温度传感器,其中通过其源极连接至其栅极的亚阈值晶体管的亚阈值漏电流被镜像通过二极管连接的晶体管,以产生输出电压。反馈将亚阈值晶体管的漏极电压保持为等于输出电压。...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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