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本申请公开同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，包括：在衬底上制备第一光刻版套刻对位图形；在衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；沉积掩膜薄膜层；利用第二光刻版光刻、刻蚀露出第二光刻版中...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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