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本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法：包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成氮化物缓冲层；于氮化物缓冲层上形成多层图形化掩膜层，所述多层图形化掩膜层中的底层图形化掩膜层的材料包括硅基氧化物、硅基氮化物、金属氧化物及金属氮化物中...
该专利属于镓特半导体科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技(上海)有限公司授权不得商用。

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