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本发明属于半导体工艺技术领域，具体公开了一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版。该方法包括步骤：提供半导体衬底；基于预选的刻蚀图案，逐个光刻每一个电阻芯片单元保护层上的掩膜层，以将预选的刻蚀图案逐个地转移至对应的掩膜层；以及基于光刻后的掩膜层对保...
该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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