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本发明提供了光刻胶层的曝光后烘烤方法和烘烤装置，曝光后烘烤通过采用反面烘烤(朝着所述光刻胶层的远离所述衬底的顶面)或双面烘烤方式来改善或控制光刻胶层顶部和底部的PAC分布，进而影响光刻胶层不同区域的显影速率，最终改变负胶沟槽形貌，以使负胶沟...
该专利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微电子装备(集团)股份有限公司授权不得商用。

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