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本发明涉及一种自支撑氮化镓层的制作方法，包括：提供支撑衬底；在支撑衬底的表面形成氮化物缓冲层；在氮化物缓冲层的表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内形成有若干个开口，开口暴露出氮化物缓冲层；于开口内及图形化掩膜层的表面形成氮化镓层，包括如下步...
该专利属于镓特半导体科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓特半导体科技(上海)有限公司授权不得商用。

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