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一种具有平面III‑N半导体层的半导体装置，其包含衬底，所述衬底包含晶片(101)和与所述晶片的材料不同的缓冲材料的缓冲层(102)，所述缓冲层具有生长表面(1021)；从所述生长表面外延生长的纳米结构(1010)阵列；由在高温T下聚结所述...
该专利属于六边钻公司所有，仅供学习研究参考，未经过六边钻公司授权不得商用。

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