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包括第一半导体晶片和第二半导体晶片的半导体传感器结构及其制造方法,第二半导体晶片具有衬底层,衬底层具有带有至少一个金属连接接触部的集成电路,第一半导体晶片具有第二导电类型的半导体层,其具有带有传感器区域的三维霍尔传感器结构,在前侧上具有彼此...该专利属于TDK-迈克纳斯有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过TDK-迈克纳斯有限责任公司授权不得商用。
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