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本发明提供一种利用新型化学改性手段制备高性能光电探测器的方法，步骤如下：1.将纳米级厚度的过渡金属硫属化合物转移到Si/SiO...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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