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本申请提供一种波导型光电探测器及其制造方法，该波导型光电探测器，包括：位于衬底表面的绝缘层；位于所述绝缘层表面的硅波导；位于所述绝缘层表面的硅光电倍增区，其连接于所述硅波导的末端；以及位于所述硅光电倍增区的至少部分表面的光电转换层，其中，所...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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