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一种快恢复二极管器件结构及其制作方法，主要包括N+衬底层及设置在所述N+衬底层上的N‑外延层，N‑外延层顶部的中间位置上依次设置有半绝缘多晶硅层及氧化硅层，N‑外延层顶部的左右两侧设置有正面金属层，且所述正面金属层的高度高于半绝缘多晶硅层及...
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