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本发明公开了一种集成式GaN器件实时测温系统及其制备方法，其制备方法包括：1)蓝宝石衬底上生长高阻GaN缓冲层；2)高阻GaN缓冲层上生长p型掺杂的InGaN层；3)p型InGaN层上生长本征掺杂GaN层；4)本征掺杂GaN层上外延生长本征...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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