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本公开涉及半导体结构，更具体地，顶电极互连结构以及制造方法。该结构包括：下金属化特征；上金属化特征；与下金属化特征直接接触的底电极；位于底电极之上的一种或多种开关材料；位于一种或多种开关材料之上的顶电极；以及与顶电极和上金属化特征接触的自对...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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