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本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种氮化镓器件及氮化镓封装结构及方法，氮化镓芯片下端贴敷有第一引线框架，第一引线框架下端贴敷有金属板，第一印线框架右侧设置有贴敷在金属板上侧的第二引线框架，第二引线框架上端贴敷有硅芯片；氮化镓芯片和硅芯片...
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