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本发明提供一种预处理方法、金属硅化物的形成方法以及半导体处理装置。所述预处理方法对半导体结构执行等离子刻蚀，半导体结构在衬底的有源区的部分表面上设置有第一导电部分以及覆盖于第一导电部分侧表面的隔离侧墙，在等离子刻蚀中，通过调节两个RF源的功...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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