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本发明公开了一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底和介质层，介质层形成于半导体衬底表面；在介质层中形成凹槽；形成覆盖凹槽侧壁和底部的高k介电层；形成填充凹槽的金属材料；刻蚀除去部分金属材料，且暴露凹槽两侧壁的部分高k介电层；形成阻挡结...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。