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本发明公开了一种R‑T‑B磁体材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B磁体材料的制备方法包括以下步骤：将R‑T‑B磁体材料的烧结体，在气体氛围中经氢气活化处理，再进行晶界扩散即可；气体氛围包括惰性气体和氢气的混合气体；氢气活化处理的温度为100...该专利属于厦门钨业股份有限公司;福建省长汀金龙稀土有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门钨业股份有限公司;福建省长汀金龙稀土有限公司授权不得商用。