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本发明公开了一种基于3D MOS器件的三态内容可寻址存储器，该3D MOS器件由依次接触的金属层、记忆层、整流层和半导体层构成，各层沿不同方向搭建，形成一个三维立体结构；该三态内容可寻址存储器由若干存储单元呈阵列排列构成，同一行的所有存储单...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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