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本发明公开一种SiC MOSFET模块的寿命预测方法，包括以下步骤：步骤1，采集NTC热敏电阻上电流为3mA～5mA时的电压信号；步骤2，将电压信号转换为频率信号；步骤3，将步骤2的频率信号转化为数字信号，即为SiC MOSFET模块的当前...
该专利属于西安工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工程大学授权不得商用。

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