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一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一器件区和第二器件区；在衬底上形成第一掺杂层；在第一掺杂层上形成位于第一器件区的第一鳍部层和位于第二器件区的第二鳍部层；在第一器件区的第一掺杂层上形成覆盖部分第一鳍部层侧壁的第一隔离层；...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。