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本发明提供一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器的制作方法，适于应用于集成电路的片内电容，包括：提供半导体衬底及位于半导体衬底表面的第一介质层；定义电容的上极板区域，刻蚀上极板区域的第一介质层至某一深度；定义电容的下极板区域，下极板区域位于上极板...
该专利属于格科微电子(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子(上海)有限公司授权不得商用。

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