温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种反射式极化扭转基片集成频率选择表面，采用SIW腔体，所述SIW腔体的顶部刻出水平放置的槽和垂直放置的槽；水平极化的平面波通过垂直放置的槽耦合进入SIW腔体，在腔内激励出的主模TM...
该专利属于南京信息工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京信息工程大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。