温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型提出一种超低功率半导体功率器件，其在半导体基板的N型外延层上表面开有三个沟槽，沟槽内填满场氧化层，场氧化层内填充导电多晶硅，第一沟槽上半部分内壁及其外围、第二、第三沟槽上方及其外围覆盖栅氧化层，第一沟槽的栅氧化层内填满栅极多晶硅，...该专利属于张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司授权不得商用。