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本发明提供一种易失性与非易失性共存的忆阻器件及制备方法及备选制备方法，所述忆阻器件设置在衬底上，所述忆阻器件从上之下依次为保护层、上导电电极、中间功能层和下导电电极，所述保护层和上导电电极的形状和尺寸一一匹配，所述中间功能层和下导电电极的形...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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