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本发明供一种新型超势垒功率器件及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：在N型衬底的N型外延层表面形成具有阶梯结构的氧化层，并在N型外延层表面形成第一P型注入区、第一N型注入区，且在第一N型注入区中形成第二P型注入区，在第一P型注入区形成第二N...
该专利属于深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳方正微电子有限公司授权不得商用。

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