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本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种增强型高电子迁移率晶体管的p‑GaN帽层的制备方法。本发明提供的增强型高电子迁移率晶体管的p‑GaN帽层的制备方法，包括：提供包括依次层叠设置的沟道层和势垒层的外延片；在势垒层背离沟道层的表面依次生长注...
该专利属于深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳方正微电子有限公司授权不得商用。

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