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本发明涉及肖特基二极管技术领域，具体提供一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。该碳化硅肖特基二极管的制造方法包括以下步骤，在形成掩膜层、隔离介质层、肖特基金属膜层、钝化层时，分若干次沉积，以降低应力集中的可能性，并调节应力分布。由此制造方法获...
该专利属于深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳方正微电子有限公司授权不得商用。

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