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本发明涉及一种4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用，属于光电催化技术领域。本发明4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法包括如下步骤：S1、清洗4H‑SiC单晶片；S2、以清洗后的4H‑SiC单晶片作为阳极，石墨片作为阴极，在刻蚀...
该专利属于宁波工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过宁波工程学院授权不得商用。

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