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本发明公开了一种长波长垂直腔面发射半导体激光器，包括下波导层；位于下波导层表面的短波发光区；位于短波发光区背向下波导层一侧表面的上波导层；位于上波导层背向下波导层一侧表面的长波发光区；位于长波发光区背向下波导层一侧表面的上光子晶体层；上光子...
该专利属于长春中科长光时空光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长春中科长光时空光电技术有限公司授权不得商用。

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