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本发明涉及一种铪掺杂氧化锌的光电探测器及其制备方法，器件结构为FTO/Hf‑ZnO/CH3NH3PbI3/spiro‑OMe TAD/Au，该器件展示了8.95％的光电转换效率。同时，此器件展示了较好的光电响应性能，其值在0偏压下高达7.0...
该专利属于武汉明芯储能光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉明芯储能光电科技有限公司授权不得商用。

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