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一种提升并五苯有机场效应晶体管工作性能的方法，在结构为栅电极/绝缘层/聚合物介质薄膜/并五苯/源与漏电极的有机场效应晶体管器件中，聚合物介质和并五苯之间设置一n‑型半导体薄膜过渡层；n‑型半导体过渡层厚度为1‑100nm；通过n‑型半导体过...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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