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包括碳化硅本体的半导体器件和制造方法。一种碳化硅本体包括具有第一导电类型的漂移结构、本体区和屏蔽区。本体区和屏蔽区具有第二导电类型并且位于碳化硅本体的第一表面和漂移结构之间。第一和第二沟槽栅极条延伸到碳化硅本体中。本体区与第一沟槽栅极条的第...
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