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本发明公开一种多层磁性隧道结刻蚀方法和MRAM器件。在不中断真空的情况下依据特定的步骤对晶圆进行加工，至少分别使用一次反应离子等离子体刻蚀腔室和离子束刻蚀腔室。对多层磁性隧道结的加工过程一直处在真空环境中，避免了外界环境对刻蚀的影响。通过刻...
该专利属于江苏鲁汶仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鲁汶仪器有限公司授权不得商用。

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