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本发明公开了一种源漏外延场效应晶体管栅围电容的建模方法，本发明将源漏外延器件的栅围电容分为栅极与插塞耦合电容C...
该专利属于华东师范大学;上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学;上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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