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本发明涉及一种平面型铟镓砷焦平面探测器PIN结的制备方法，属于半导体制备方法技术领域。所述方法在InGaAs焦平面探测器芯片制备过程中完成，在InGaAs材料上第一次外延生长的N型InP层厚度为10nm～30nm；然后生长沉积一层耐高温介质...
该专利属于云南北方昆物光电科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南北方昆物光电科技发展有限公司授权不得商用。

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