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场效应晶体管及其制备方法技术
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文档序号:24127584
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本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法,所述场效应晶体管包括衬底、栅极、有源层、源极、漏极和介电层,所述介电层生成于所述衬底上,所述有源层生成于所述介电层的上表面,所述源极和所述漏极分别位于所述有源层的两侧,所述有源层的材质为金属氧化物纳...
该专利属于歌尔股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过歌尔股份有限公司授权不得商用。
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