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本发明提供了一种提高氮化物LED电流扩展能力的外延生长方法，包括生长石墨烯层的过程，具体是：步骤1、处理衬底；步骤2、在衬底上生长低温氮化物缓冲层以及在低温氮化物缓冲层上形成不规则小岛，所述低温氮化物缓冲层包括氮化镓、氮化铝或氮化铝镓中的至...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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